Description générale
Le MOSFET IXYS IXTH90P10P est un transistor à canal P conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 462 W et un courant de drain de 90 A, il est idéal pour des usages variés dans le domaine de l'électronique.Spécifications techniques
- Type : Canal P
- Puissance maximale (P(TOT)) : 462 W
- Courant de drain (I(d)) : 90 A
- Capacité d'entrée (C(ISS)) : 5800 pF
- Charge de porte (Q(G)) : 120 nC
- Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 25 mΩ
- Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
- Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
- Tension de rupture (U(BR)(DSS)) : 100 V
- Tension de seuil de grille (U(GS)(th)) : 4 V
- Tension de référence C(ISS) : 25 V
- Tension de référence R(DS)(on) : 10 V
- Type de boîtier : TO-247AD
- Type de montage : trou traversant
Autres informations
Conditionnement : 1 pc(s)
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