IXYS IXFP180N10T2 MOSFET 1 Canal N 480 W TO-220AB Q87443

Name: IXYS IXFP180N10T2 MOSFET 1 Canal N 480 W TO-220AB Q87443
Brand: IXYS
SKU: IXFP180N10T2
Availability: OutOfStock

Produit épuisé

Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET IXYS IXFP180N10T2 est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une capacité de courant de 180 A et une puissance maximale de 480 W, ce composant est idéal pour des usages variés dans le domaine de l'électronique.

Spécifications techniques

Fabricant : IXYS

Type : IXFP180N10T2

Type de boîtier : TO-220AB

Nombre de sorties : 1

Puissance maximale : 480 W

Courant de drain (I(d)) : 180 A

Tension de rupture (U(DSS)) : 100 V

Tension de seuil (U(GS)(th)) : 4 V

Capacité d'entrée (C(ISS)) : 10500 pF

Charge de porte (Q(G)) : 185 nC

Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 6 mΩ à 50 A

Température de fonctionnement (min.) : -55 °C

Température de fonctionnement (max.) : +175 °C

Compatibilité et accessoires

Type de montage : trou traversant

Autres informations

Conditionnement : 1 pc(s)

Série : GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Caractéristiques

Marque
IXYS
Longueur
2.9 cm
Tension électrique
10 V
Intensité courant
180 A
Matières
Silicone

Impact environnemental

Certification environnementale
Qualitel

Questions fréquentes

Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements variés et exigeants.

La résistance à l'état passant est de 6 mΩ, mesurée à un courant de 50 A.

Non, ce composant est conçu pour un montage par trou traversant, ce qui nécessite un perçage pour son installation.

Réponses générées par IA à partir des informations vendeur

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