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Infineon Technologies IRFZ2807ZPBF MOSFET 1 Canal N 170 W TO-220AB Q81224

Name: Infineon Technologies IRFZ2807ZPBF MOSFET 1 Canal N 170 W TO-220AB Q81224
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IRFZ2807ZPBF
Availability: OutOfStock

Produit épuisé

Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET Infineon Technologies IRFZ2807ZPBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 170 W et un courant de drain de 75 A, il est idéal pour une utilisation dans divers circuits électroniques.

Spécifications techniques

Type : MOSFET Canal N

Puissance maximale (P(TOT)) : 170 W

Courant de drain (I(d)) : 75 A

Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 9.4 mΩ

Capacité d'entrée (C(ISS)) : 3270 pF

Tension de rupture (U(DSS)) : 75 V

Tension de seuil (U(GS)(th)) : 4 V

Charge de porte (Q(G)) : 110 nC

Température de fonctionnement (min.) : -55 °C

Température de fonctionnement (max.) : +175 °C

Compatibilité et accessoires

Type de boîtier : TO-220AB

Type de montage : trou traversant

Autres informations

Disponible en logiciel PCB : Target 3001!

Fabricant : Infineon Technologies

Série : HEXFET®

Conditionnement : 1 pc(s)

Caractéristiques

Marque
INFINEON TECHNOLOGIES
Longueur
2.9 cm
Puissance
170 W
Tension électrique
10 V
Intensité courant
75 A

Questions fréquentes

Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements exigeants.

Ce composant est conçu pour un montage par trou traversant, ce qui nécessite de le souder sur un circuit imprimé.

La résistance à l'état passant de ce composant est de 9,4 mΩ, ce qui garantit une faible perte d'énergie lorsqu'il est activé.

Réponses générées par IA à partir des informations vendeur

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