Infineon Technologies IRFP4110PBF MOSFET 1 Canal N 370 W TO-247AC Q89790

Name: Infineon Technologies IRFP4110PBF MOSFET 1 Canal N 370 W TO-247AC Q89790
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IRFP4110PBF
Price: 6.99 EUR
Availability: InStock

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET Infineon Technologies IRFP4110PBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 370 W et un courant de drain de 120 A, ce composant est idéal pour des circuits de commutation et d'amplification. Son boîtier TO-247AC permet une installation facile et un bon refroidissement.

Spécifications techniques

C(ISS): 9620 pF

I(d): 120 A

P(TOT): 370 W

Q(G): 210 nC

R(DS)(on): 4.5 mΩ

Température de fonctionnement (max.): +175 °C

Température de fonctionnement (min.): -55 °C

Tension de référence C(ISS): 50 V

U(DSS): 100 V

U(GS)(th) max.: 4 V

Courant de référence max.: 250 µA

Compatibilité et accessoires

Type de montage: trou traversant

Série: HEXFET®

Autres informations

Conditionnement: 1 pc(s)

Fabricant: Infineon Technologies

Sigle du fabricant (composants): INF

Type: IRFP4110PBF

Caractéristiques

Marque
INFINEON TECHNOLOGIES
Intensité courant
120 A
Quantité par pack
1
Fonction du disjoncteur
Moteur
Indice de protection
IP20
Matières
Plastique
Nombre de module(s)
1
Type de disjoncteur
Coupe circuit
Réf. ManoMano
ME5998007
MMID
251351590781
Réf. fabricant
IRFP4110PBF
EAN
2050001541161

Questions fréquentes

Ce composant peut fonctionner dans une plage de températures allant de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à des environnements variés et exigeants.

Oui, ce composant est conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée, avec une puissance maximale de 370 W et un courant de drain de 120 A.

Ce composant utilise un montage par trou traversant, ce qui facilite son installation sur des circuits imprimés.

Réponses générées par IA à partir des informations vendeur

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