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Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-220AB

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET Infineon Technologies IRFB4710PBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée et une efficacité optimale. Ce composant est idéal pour les circuits de commutation et de gestion de l'énergie.

Spécifications techniques

  • Type : MOSFET Canal N
  • Boîtier : TO-220AB
  • Courant drain (I(d)) : 75 A
  • Puissance maximale (P(TOT)) : 3.8 W
  • Capacité d'entrée (C(ISS)) : 6160 pF
  • Tension de référence (C(ISS)) : 25 V
  • Tension de rupture (U(DSS)) : 100 V
  • Tension de seuil (U(GS)(th)) : 5.5 V
  • Résistance à l'état passant (R(DS)(on)) : 14 mΩ à 45 A
  • Charge de grille (Q(G)) : 170 nC
  • Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C

    • Compatibilité et accessoires

  • Compatible avec les applications de commutation et de gestion de l'énergie.

    • Autres informations

  • Conditionnement : 1 pc(s)
  • Fabricant : Infineon Technologies
  • Série : HEXFET®

    • Caractéristiques

    • Marque
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Hauteur
      4.44 mm
    • Intensité courant
      75 A
    • Largeur
      11.5 mm
    • Matières
      Plastique
    • Mode de pose électricité
      Avec vis
    • Puissance
      3.8 W
    • Réseau électrique
      Monophasé
    • Type de contact
      Normalement ouvert
    • Réf. ManoMano
      ME81122644
    • MMID
      742776246158
    • Réf. fabricant
      IRFB4710PBF 2050003203227
    • EAN
      2050003203227

    Questions fréquentes

    La capacité de courant drain maximale de ce dispositif est de 75 A.

    La plage de température de fonctionnement de cet équipement est de -55 °C à +175 °C.

    La résistance à l'état passant à 45 A est de 14 mΩ.

    Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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