Fga40n65smd Transistor
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Informations produit
Description
LES SPÉCIFICATIONS TECHNIQUES :
- Fabricant ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
- Type de transistor IGBT
- Tension collecteur-émetteur 650V
- Courant de collecteur 60A
- Puissance dissipée 300W
- Logement TO3P
- Entrée - tension de l'émetteur ±20V
- Courant de collecteur dans l'impulsion 180A
- Charge de la porte 284nC
Caractéristiques
- MarqueON SEMICONDUCTOR
- Garantie3 an(s)
- CouleurMulticouleur
- Hauteur100 mm
- Intensité courant60 A
- Largeur100 mm
- MatièresPlastique
- Mode de pose électricitéAvec vis
- Poids100 g
- Puissance300 W
- Tension électrique5 V
- Réf. ManoManoME40446737
- MMID884137961381
- Réf. fabricant53002-DI
Questions fréquentes
Quelle est la tension maximale que ce type de transistor peut supporter entre le collecteur et l'émetteur ?
La tension maximale que ce type de transistor peut supporter entre le collecteur et l'émetteur est de 650V.
Quel est le courant maximal que ce transistor peut gérer en mode impulsion ?
Le courant maximal que ce transistor peut gérer en mode impulsion est de 180A.
Quelle est la puissance dissipée maximale par ce transistor ?
La puissance dissipée maximale par ce transistor est de 300W.
Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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