Diode haute intensité 50 A, carte de protection anti-retour pour charge solaire, faible résistance positive

1. Offrant une solution à faibles pertes pour les applications haute puissance, ce composant assure un rendement élevé, réduit les besoins en dissipation thermique et optimise l'espace sur le circuit imprimé.

2. L'entrée et la sortie sont équivalentes à des diodes. Lorsque la tension de sortie est supérieure à la tension d'entrée, la sortie est désactivée. La détection s'effectue au millivolt près, garantissant une réponse rapide.

3. L'utilisation d'un MOSFET à canal N en remplacement d'une diode permet de réduire la consommation d'énergie. Ce transistor MOS ultra-performant à faible ESR et courant élevé (300 A, 1,5 mΩ) est utilisé.

4. Il constitue une solution idéale pour remplacer les diodes haute intensité classiques et les panneaux solaires en parallèle, et convient à la protection contre l'inversion de polarité.

5. Fabriqué selon les spécifications d'origine et conforme aux normes de qualité les plus strictes. Spécifications : Type d'article : Diode ; Matériau : Laiton ; Tension de fonctionnement : 9-70 V ; Courant de fonctionnement : 50 A maximum ; Dimensions du circuit imprimé : env. 38 x 54 mm / 1,5 x 2,1 pouces. Épaisseur de la feuille de cuivre : 1,5 oz. Usage : Remplace les diodes haute intensité ordinaires, idéal pour le branchement en parallèle de panneaux solaires, convient à la protection contre le retour de courant. Mode d'emploi : 1. Dévissez les vis avant le câblage.

2. Respectez la polarité indiquée sur la carte : entrée positive et sortie positive.

3. Enroulez le fil au centre du joint de la vis et serrez la vis.

4. Vous pouvez également utiliser des pinces pour fixer directement la feuille de cuivre. Contenu de l'emballage : 1 x diode.