10 transistors IGBT à canal N pour tube à plasma à cristaux liquides

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Haute performance : Le transistor IGBT RJP4301 est conçu pour les applications flash, garantissant des performances fiables et efficaces.

Spécifications : Canal N, 430 V, 200 A, encapsulé dans un boîtier TO-220 pour une dissipation thermique optimale.

Applications : Idéal pour une utilisation dans les tubes à cristaux liquides et à plasma, améliorant ainsi la technologie d'affichage.

Couleur : Noir

Matériau : Plastique

L'apparence peut varier d'un lot à l'autre, sans incidence sur l'utilisation.

Contenu de l'emballage :

10 transistors IGBT

Seul le contenu mentionné ci-dessus est inclus.

Remarque : La couleur de l'article sur la photo peut légèrement différer de la réalité en raison de la réflexion de la lumière et des réglages de votre écran.

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