10 transistors IGBT à canal N pour tube à plasma à cristaux liquides
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Informations produit
Description
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Haute performance : Le transistor IGBT RJP4301 est conçu pour les applications flash, garantissant des performances fiables et efficaces.
Spécifications : Canal N, 430 V, 200 A, encapsulé dans un boîtier TO-220 pour une dissipation thermique optimale.
Applications : Idéal pour une utilisation dans les tubes à cristaux liquides et à plasma, améliorant ainsi la technologie d'affichage.
Couleur : Noir
Matériau : Plastique
L'apparence peut varier d'un lot à l'autre, sans incidence sur l'utilisation.
Contenu de l'emballage :
10 transistors IGBT
Seul le contenu mentionné ci-dessus est inclus.
Remarque : La couleur de l'article sur la photo peut légèrement différer de la réalité en raison de la réflexion de la lumière et des réglages de votre écran.
La marge d'erreur de mesure est de +/- 1 à 3 cm. Nos clients sont notre priorité absolue. Si vous constatez un problème avec un produit après réception de votre commande (article endommagé, quantité incorrecte, etc.), veuillez contacter immédiatement le vendeur. Nous mettons tout en œuvre pour vous offrir un service après-vente satisfaisant.Caractéristiques
- MarqueLEDE
- CouleurMulticouleur
- Quantité par pack1 produit(s)
- Réf. ManoManoME212758514
- MMID618108165637
















