Transistor Fdd5n50utm N-mosfet 1 Canal 500v 3a To252-3 Fdd5n50utm
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Informations produit
Description
Caractéristiques
- MarqueON SEMICONDUCTOR
- Longueur10 cm
- Largeur100 mm
- Hauteur100 mm
- Poids100 g
Questions fréquentes
La capacité de drainage maximale de ce dispositif est de 3A. Cela permet son utilisation dans des circuits de puissance où un courant significatif est requis, tout en maintenant une séparation de tension drain-source de 500V.
Ce composant est conçu pour un montage SMD/SMT. Ce type de montage permet une intégration facile dans des circuits imprimés compacts, mais nécessite des compétences spécifiques en soudure pour éviter d'endommager le composant.
La puissance dissipée par ce dispositif est de 40W. Ce facteur est crucial car il détermine la capacité du composant à gérer la chaleur générée lors de son fonctionnement, ce qui peut affecter sa fiabilité et sa durée de vie.


















