Numérique température contrôleur avec Timer pour Heat Press machine, PID commande Model BEM-TCT-4B Solid State Output

Précis température Management : ce contrôleur caractéristiques un numérique affichage pour précis température contrôle, ranging contre 0 à 999℃ avec 0.1℃ increments. cela prend en charge multiples thermocouple types (K/J/R/S/B/E/N/T), rendant cela polyvalent pour différents applications. Intégré fonctionnel conception : combine température contrôle et un timer dans un unit, avec un countdown gamme de 0-999 deuxièmes et 12 preset alarm modes. ce integration améliore operational efficacité dans industriel réglages. Durabilité dans Extreme Conditions : Engineered à résister harsh environnements, ce contrôleur a passed niveau quatre industriel tests, notamment surge et drop simulations. cela utilisers reliably dans zones avec unstable tension ou complexe electromagnetic fields. Polyvalent sortie compatibilité : équipé avec les deux relais (250VAC 30A) et solid état (12VDC ±2V 20mA) sorties, ce contrôleur est compatible avec un large gamme de appareils. cela également caractéristiques un intégré buzzer pour audible alerts, améliorant monitoring. Facile installation et fonctionnement : conçu pour facile configuration avec un standard panel taille (48 x 96mm) et un léger créer (207g). cela consumes moins que 5W AC ou 3W DC alimentation et retains réglages dans son durable non-volatile mémoire. Spécifications : Part nom : température contrôleur Modèle : BEM-TCT-4B Couleur : noir Matériau : plastique Fonctionnement alimentation alimentation : 100-240VAC 50/60Hz Allowable tension gamme : 90%-110% de nominal tension Alimentation consommation : <5W (100-240VAC, 24VAC 50-60Hz); <3W (24-48VDC) Entrée Type (Thermocouple) : K/J/R/S/B/E/N/T Sortie Type : relais sortie/Solid état sortie Relais sortie : 250VAC 30A Solid état sortie : 12VDC ±2V 20mA ou moins Contrôle : PID contrôle Contrôle précision : 1 100℃/0.1 50.0℃ Temps gamme : 0-999 Maximal température : 0 999℃ Contrôle Period (T) : 0.5 120.0 deuxièmes Insulation résistance : >100MΩ (500VDC) Anti-Interference : ±2kV R S Mémoire Retention : years (non-volatile semiconductor rangement) Ambient température : -10 50℃ Insulation Type : double Insulation ou Reinforce