Kit de développement mémoire I2C pour dispositifs portables non volatils MB85RC256V 2,7-5,5V

Bienvenue dans notre boutique ! Ce module de développement mémoire de type FRAM (ferroélectrique) offre une solution fiable et durable pour vos projets nécessitant une rétention de données stable. **Caractéristiques techniques :** - Type : Outils de développement pour circuits intégrés mémoire - Adresse : 1010 + A2 + A1 + A0 - Valeur par défaut : 0x50 - Tension d'alimentation (VCC/Logique) : 2,7 à 5,5 V **Détails du produit :** 1. L'écran est non volatile et peut être lu/écrit facilement jusqu'à 10 billions de fois dans des conditions normales. 2. Semblable à la mémoire vive dynamique (DRAM), ce module utilise une couche ferroélectrique au lieu d'une couche diélectrique. 3. Ce module est particulièrement adapté aux enregistreurs de données à faible consommation et à l'atténuation des données en l'absence d'une source de tension stable. 4. La puce FRAM utilisée offre 32 Ko de mémoire et peut fonctionner avec une horloge jusqu'à 20 MHz. 5. Chaque octet peut être lu et écrit instantanément, avec une rétention mémoire de 95 ans à température ambiante. **Contenu de la livraison :** - 1 x Module - 1 x Broche Ce module est idéal pour les applications nécessitant une mémoire non volatile rapide et durable, comme les systèmes embarqués, les capteurs et les dispositifs à pile.