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Infineon Technologies IRFB7534PBF MOSFET 1 Canal N 294 W TO-220AB S81719

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Informations produit

Description

Description générale

Le MOSFET Infineon Technologies IRFB7534PBF est un transistor à effet de champ de type canal N, conçu pour des applications nécessitant une puissance élevée. Avec une puissance maximale de 294 W et un courant de drain de 195 A, ce composant est idéal pour des circuits exigeants. Il est encapsulé dans un boîtier TO-220AB, facilitant son intégration dans divers systèmes électroniques.

Spécifications techniques

  • C(ISS) : 10034 pF
  • I(d) : 195 A
  • Puissance (max) P(TOT) : 294 W
  • Q(G) : 279 nC
  • R(DS)(on) : 2.4 mΩ
  • Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
  • Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
  • Tension de référence C(ISS) : 25 V
  • U(DSS) : 60 V
  • U(GS)(th) : 3.7 V
  • Courant de référence max. : 250 µA

    • Compatibilité et accessoires

  • Type de montage : trou traversant
  • Série : HEXFET®, StrongIRFET™

    • Caractéristiques

    • Marque
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Longueur
      2.9 cm
    • Largeur
      11.5 mm
    • Hauteur
      4.44 mm
    • Puissance
      294 W

    Impact environnemental

    • Origine
      Fabriqué en Chine

    Questions fréquentes

    La température de fonctionnement maximale de ce dispositif est de +175 °C, tandis que la température minimale est de -55 °C.

    Ce composant peut supporter un courant de drain maximal de 195 A.

    La résistance à l'état passant de ce dispositif est de 2.4 mΩ.

    Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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