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Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-263-3 Q85197

Produit épuisé

Informations produit

Description

Description générale

Un transistor MOSFET est un composant commandé en tension, idéal pour une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Il peut être directement connecté à des sources à haute impédance et est compatible avec les microcontrôleurs (µC), TTL et CMOS.

Spécifications techniques

  • Fabricant : Infineon Technologies
  • Type : IRF530N
  • Type de boîtier : TO-263-3
  • Nombre de sorties : 1
  • Courant (I(d)) : 17 A
  • Puissance maximale (P(TOT)) : 3.8 W
  • Capacité d'entrée (C(ISS)) : 920 pF
  • Tension de référence (C(ISS)) : 25 V
  • Tension de référence (R(DS)(on)) : 10 V
  • R(DS)(on) : 90 mΩ
  • Température de fonctionnement (max.) : +175 °C
  • Température de fonctionnement (min.) : -55 °C
  • Tension de rupture (U(DSS)) : 100 V
  • Tension de seuil (U(GS)(th)) : 4 V
  • Charge de grille (Q(G)) : 37 nC
  • Courant de référence max. : 250 µA

    • Compatibilité et accessoires

  • Compatible avec les microcontrôleurs (µC), TTL et CMOS.

    • Autres informations

  • Disponible en logiciel PCB : Target 3001!
  • Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

    • Caractéristiques

    • Marque
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Longueur
      26.3 cm
    • Puissance
      3.8 W
    • Tension électrique
      10 V
    • Intensité courant
      17 A

    Impact environnemental

    • Origine
      Fabriqué en Europe
    • Certification environnementale
      FSC

    Questions fréquentes

    La température de fonctionnement maximale de ce dispositif est de +175 °C, tandis que la température minimale est de -55 °C.

    Ce dispositif peut supporter un courant maximal de 17 A.

    La tension de rupture de ce composant est de 100 V.

    Réponses générées par IA à partir des informations vendeur
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